| 規 格：LT-GaAs PCA |
型 號：LT-GaAs PCA |
數 量： |
| 品 牌：Eachwave |
包 裝： |
價 格：面議 |
太赫茲光電導天線 低溫砷化鎵天線 太赫茲天線發射器 自由空間的太赫茲發射器由一個光電導天線和高阻硅透鏡封裝而成。我們通常使用低溫生產的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作為光電導材料。不同的光電導材料適用于不同的激發波長。 
太赫茲發射器參數規格 | LT-GaAs天線 | GaBiAs天線 | | 激發功率：<50mW, 典型值30mW | 激發功率：<50mW | | 偏置電壓：<50V, 典型值40V | 偏置電壓：<40V | | 集成高阻硅透鏡 | 集成高阻硅透鏡 | | 激發波長：800±40nm | 激發波長：1050±40nm | | 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm | 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm | 
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自由空間太赫茲探測器（太赫茲光電導天線）  ![]() 
太赫茲探測器參數規格 | LT-GaAs天線 | GaBiAs天線 | | 激發功率：<50mW | 激發功率：<25 | | 集成預放大器 | 集成預放大器 | | 集成高阻硅透鏡 | 集成高阻硅透鏡 | | 探測太赫茲帶寬：5THz@100fs激光脈寬 | 探測太赫茲帶寬：5THz@70fs激光脈寬 | | 太赫茲頻譜峰值位置：400GHz | 太赫茲頻譜峰值位置：400GHz | | 激發波長：800±40nm | 激發波長：1050±40nm | | 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm | 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm | 
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