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| 一種制備Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須的工藝方法，屬晶體材料技術領域，用于解決使用低成本鐵尾礦制備Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須問題。特別之處是：它以鐵礦石尾礦和碳黑為原料，利用氣相反應法合成Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須，所述方法包括制粉、磁選、配料、濕混、干燥、干混、高溫氣相反應等步驟。本發明以儲量巨大的冶金廢棄物鐵礦石尾礦為主要原料，以碳黑為還原劑，通過氣相反應法制備Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須。該方法不僅簡便易行，成本低廉，為Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須大量制備提供了一種新方法，而且為鐵尾礦的廢棄和污染且生態化的整體利用提供了一條新途徑，也為工業規模化處理鐵尾礦奠定了工藝基礎。以本發明方法制備的Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須長度為１－１０ｍｍ，直徑為１－５０μｍ，晶體結構完整。 |
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一種制備Si*N*晶須的工藝方法
一種制備Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須的工藝方法，其特征在于：它以鐵礦石尾礦和碳黑為原料，利用氣相反應法合成Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶須，所述方法包括如下步驟： ａ．制粉：選取鐵尾礦破碎后進行球磨至粒度達到２００目以下，過２００目篩，取篩下物為鐵尾礦粉； ｂ．磁選：對上述鐵尾礦粉進行磁選，去除其中所含單質鐵和鐵磁性物質； ｃ．配料：取碳黑和上述鐵尾礦粉，按碳黑中的固定碳和鐵尾礦粉中氧化硅的摩爾比進行配料，即：ｎ（Ｃ）／ｎ（ＳｉＯ↓［２］）為１．０－６．０的摩爾比； ｄ．濕混：將上述配制好的混合料以無水乙醇為分散劑介質進行球磨混合，濕混時間２０－２４小時，其中，混合料：無水乙醇體積比為１∶２－３； ｅ．干燥：將濕混后的料漿充分干燥； ｆ．干混：將干燥的混合料再經球磨干混４－６小時； ｇ．高溫氣相反應：將上述混合料裝入多孔石墨坩堝，石墨坩堝置于電阻爐中，爐內連續通入流動氮氣，流量為４００－１０００ｍｌ／ｍｉｎ，進行氣相合成，反應溫度為１４００－１５００℃；恒溫時間為４－１０小時，將反應物隨爐冷卻至室溫。
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| 專利號: |
200810054507 |
| 申請日: |
2008年1月29日 |
| 公開/公告日: |
2008年11月19日 |
| 授權公告日: |
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| 申請人/專利權人: |
河北理工大學 |
| 國家/省市: |
河北(13) |
| 郵編: |
063009 |
| 發明/設計人: |
張淑會、康志強、薛向欣、呂慶、張淑卿 |
| 代理人: |
周曉萍 曹淑敏 |
| 專利代理機構: |
河北省科技專利事務所(13108) |
| 專利代理機構地址: |
河北省石家莊市工農西路68號(050051) |
| 專利類型: |
發明 |
| 公開號: |
101307499 |
| 公告日: |
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| 授權日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優先權: |
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| 審批歷史: |
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| 附圖數: |
0 |
| 頁數: |
4 |
| 權利要求項數: |
1 |
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