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| 一種包括局部應變條的半導體元件。凹槽形成于柵極電極的相對側邊，因此，凹槽通過閑置間隙壁與柵極電極偏移，于凹槽中填入應力導引層；移除閑置凹槽，并形成輕摻雜漏極。接著，形成新的間隙壁，且使應力導引層產生凹陷，可進行一個或是多個注入步驟，以形成源極／漏極區。在一個實施例中，ＰＭＯＳ晶體管可和一個或多個ＮＭＯＳ晶體管形成于相同的基底上，亦可于ＰＭＯＳ晶體管和／或ＮＭＯＳ晶體管上方，形成雙蝕刻停止層。本發明利用不同屬性的應力層接觸鄰近的電流溝道來增加元件性能。可減少結漏電流，并且通過使源極／漏極區形成凹槽和增加硅化物形成面積，增加硅化區的接觸面積，并降低電阻。 |
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半導體元件
一種半導體元件，包括： 基底； 第一柵極電極，位于所述基底上； 多個第一間隙壁，位于所述第一柵極電極兩側的基底上； 多個第一源極／漏極區，位于所述第一柵極電極兩側的基底中，所述多個第一間隙壁延伸至少部分的所述多個第一源極／漏極區上方，延伸超出所述多個第一間隙壁的第一源極／漏極區是凹陷，因此定義多個第一凹槽部分。
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| 專利號: |
200810086889 |
| 申請日: |
2008年3月20日 |
| 公開/公告日: |
2008年10月29日 |
| 授權公告日: |
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| 申請人/專利權人: |
臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 國家/省市: |
臺灣(71) |
| 郵編: |
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| 發明/設計人: |
曹茹雄、曹敏、林仲德、官大明、許正東 |
| 代理人: |
陳晨 吳世華 |
| 專利代理機構: |
隆天國際專利商標代理有限公司(72003) |
| 專利代理機構地址: |
香港干諾道中168-200號信德中心西翼15樓1512室() |
| 專利類型: |
發明 |
| 公開號: |
101295733 |
| 公告日: |
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| 授權日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優先權: |
美國2007年4月23日11/738,968 |
| 審批歷史: |
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| 附圖數: |
6 |
| 頁數: |
10 |
| 權利要求項數: |
3 |
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