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專利號:200810087967
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半導體裝置的制造方法

本發明提供一種高成品率地制造半導體裝置的方法,該半導體裝置不會因來自外部的局部擠壓而破壞,可靠性高。本發明如下制造半導體裝置:形成具有使用單晶半導體基板或SOI基板形成的半導體元件的元件基板,在元件基板上設置有機化合物或無機化合物的纖維體,通過自元件基板及纖維體上方涂布包含有機樹脂的組合物,加熱,從而在元件基板上形成有機樹脂浸漬在有機化合物或無機化合物的纖維體的密封層。

半導體裝置的制造方法

一種半導體裝置的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:    在元件基板上設置纖維體,該元件基板具有有源元件;    在所述元件基板上涂布包含有機樹脂的組合物;以及    通過對所述元件基板進行加熱,形成包括所述纖維體和所述有機樹脂的密封層。
 


  
專利號: 200810087967
申請日: 2008年3月25日
公開/公告日: 2008年10月1日
授權公告日:
申請人/專利權人: 株式會社半導體能源研究所
國家/省市: 日本(JP)
郵編:
發明/設計人: 道前芳隆、杉山榮二、大谷久、鶴目卓也
代理人: 范征
專利代理機構: 上海專利商標事務所(31100)
專利代理機構地址: 上海市桂平路435號(200233)
專利類型: 發明
公開號: 101276767
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權: 日本2007年3月26日2007-079264
審批歷史:
附圖數: 14
頁數: 28
權利要求項數: 5
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