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專利號:200810091706
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具有多晶粒并排配置的半導體組件封裝結構及其方法

本發明提供一種具有晶粒容納通孔及連接通孔結構的半導體組件封裝,包含一具有晶粒容納通孔、連接通孔結構及第一接觸墊的基底。一具有第一連接墊的第一晶粒及一具有第二連接墊的第二晶粒分別配置于晶粒容納通孔內。一第一黏著材料形成于第一晶粒及第二晶粒下,而第二粘著材料填滿于第一晶粒及晶粒容納通孔側壁的間隙內,以及第二晶粒及晶粒容納通孔側壁的間隙內。更進一步,形成接合線(bonding  wires)以耦合第一連接墊與第一接觸墊,以及耦合第二連接墊與第一接觸墊。一介電層形成于接合線、第一晶粒、第二晶粒以及基底上。第二接觸墊形成于基底的下表面以及連接通孔結構下。

具有多晶粒并排配置的半導體組件封裝結構及其方法

一種半導體組件封裝結構,包含:    一具有晶粒容納通孔及連接通孔結構的基底;    第一接觸墊形成于該基底的上表面及第二接觸墊形成于該基底的下表面,其中該第二接觸墊形成于該下表面的邊緣區域;    一具有第一連接墊的第一晶粒及一具有第二連接墊的第二晶粒分別配置于該晶粒容納通孔內;    一接合電路形成于該上表面用以耦合互接墊及該第一接觸墊,該互接墊形成于該第一晶粒與該第二晶粒之間及該第二晶粒的側邊;    一第一黏著材料形成于該第一晶粒及該第二晶粒下;    一第二黏著材料填滿于該第一晶粒與該基底的該晶粒容納通孔側壁的間隙內,及填滿于第二晶粒與該基底的該晶粒容納通孔側壁的間隙內;    接合線耦合該第一連接墊與該第一接觸墊,及耦合該第二連接墊與該第一接觸墊;且    一介電層形成于該接合線、該第一晶粒、該第二晶粒及該基底上。
 


  
專利號: 200810091706
申請日: 2008年4月9日
公開/公告日: 2008年10月15日
授權公告日:
申請人/專利權人: 育霈科技股份有限公司
國家/省市: 臺灣(71)
郵編:
發明/設計人: 楊文焜、林殿方
代理人: 周長興
專利代理機構: 中科專利商標代理有限責任公司(11021)
專利代理機構地址: 北京市海淀區海淀路80號中科大廈16層(100080)
專利類型: 發明
公開號: 101286503
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權: 美國2007年4月11日11/783,629
審批歷史:
附圖數: 4
頁數: 11
權利要求項數: 2
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