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| 本發明公開了一種半導體器件及制造ＢＯＡＣ／ＣＯＡ的方法。半導體器件的ＢＯＡＣ／ＣＯＡ通過以下步驟制造：在半導體器件之上形成導電焊盤；在包括導電焊盤的半導體器件之上形成鈍化氧化膜；在導電焊盤和鈍化氧化膜的整個表面上形成氧化膜；在導電焊盤上形成限定結合焊盤區的氧化膜圖案；在氧化膜圖案、鈍化氧化膜和導電焊盤之上依次地形成屏蔽膜和金屬種子層；在金屬種子層之上形成金屬層；整平金屬層，從而使氧化膜圖案以及屏蔽膜和金屬種子層的一部分露出；以及通過蝕刻工藝去除氧化膜圖案。 |
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半導體器件和用于制造BOAC/COA的方法
一種半導體器件，包括： 形成在半導體襯底之上的導電焊盤； 形成在所述半導體襯底之上和所述導電焊盤的一部分之上的鈍化氧化膜； 形成在所述導電焊盤和所述鈍化氧化膜之上的屏蔽膜； 形成在所述屏蔽膜之上的金屬種子層；以及 形成在包括所述金屬種子層的所述導電焊盤之上的金屬層，所述金屬層限定結合焊盤區，其中所述屏蔽膜和所述金屬種子層設置在所述金屬層的側壁上。
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| 專利號: |
200810094759 |
| 申請日: |
2008年5月16日 |
| 公開/公告日: |
2008年11月19日 |
| 授權公告日: |
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| 申請人/專利權人: |
東部高科股份有限公司 |
| 國家/省市: |
韓國(KR) |
| 郵編: |
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| 發明/設計人: |
金相喆 |
| 代理人: |
章社杲 吳貴明 |
| 專利代理機構: |
北京康信知識產權代理有限責任公司(11240) |
| 專利代理機構地址: |
北京市西城區金融大街33號通泰大廈B402室(100032) |
| 專利類型: |
發明 |
| 公開號: |
101308829 |
| 公告日: |
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| 授權日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優先權: |
韓國2007年5月18日10-2007-0048576 |
| 審批歷史: |
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| 附圖數: |
6 |
| 頁數: |
5 |
| 權利要求項數: |
4 |
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