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| 一種熒光猝滅分析中去除猝滅劑吸收影響的校正方法，是通過單獨熒光試劑受激發光激發后所產生的熒光的實際測量譜ａ和熒光試劑與猝滅劑混合樣品所產生的熒光的實際測量譜ｂ來獲得曲線Ａ′和曲線Ｂ′，以Ａ′表征對熒光試劑與猝滅劑的混合樣品，去除直接吸收影響后熒光試劑實際可以發出的未被猝滅的熒光譜，以Ｂ′表征所述Ａ′被猝滅劑猝滅以后的熒光譜線。以本發明方法可以克服熒光猝滅分析中猝滅劑吸收作用所產生的影響，使得那些原本因吸收譜存在交迭而不適合采用熒光猝滅法進行分析的物質現在可以利用熒光猝滅法進行分析，擴大了熒光猝滅分析的應用范圍。 |
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熒光猝滅分析中去除猝滅劑吸收影響的校正方法
熒光猝滅分析中去除猝滅劑吸收影響的校正方法，其特征按如下步驟進行： ａ、用光譜曲線ａ校正獲得曲線Ａ′； 所述光譜曲線ａ為單獨熒光試劑受激發光激發后所產生的熒光的實際測量譜，以函數Ｉ↓［１］（λ）表征光譜曲線ａ；以函數Ｉ↓［１］′（λ）表征對熒光試劑與猝滅劑的混合樣品，去除直接吸收影響后熒光試劑實際可以發出的未被猝滅的熒光譜曲線Ａ′； 則Ｉ↓［１］′（λ）＝＊＊＊ （１） 式（１）中ΔＥ↓［１］＝ε↓［１］ｃ↓［１］Δｌ為猝滅劑對應激發波長的元消光度； ΔＥ↓［２］＝ε↓［２］ｃ↓［２］Δｌ為熒光試劑對應激發波長的元消光度； Δｌ為樣品細分單元層的厚度； ｎ為樣品細分單元層的層數； ε↓［１］為猝滅劑對應激發波長的摩爾吸收系數； ε↓［２］為熒光試劑對應激發波長的摩爾吸收系數； ｃ↓［１］為猝滅劑的摩爾濃度； ｃ↓［２］為熒光試劑的摩爾濃度； 令：測量熒光譜時所用樣品池的寬度和厚度均為Ｌ，將樣品池中的樣品假定為一系列與激發光垂直的等厚薄層，每一個薄層均為一細分單元層，則Δｌ、ｎ、Ｌ三者間的關系為：ｎ×Δｌ＝Ｌ。 ｂ、用光譜曲線ｂ校正獲得校正曲線Ｂ′； 所述光譜曲線ｂ為熒光試劑與猝滅劑混合樣品所產生的熒光的實際測量譜；用函數Ｉ↓［２］（λ）表征曲線ｂ，用函數Ｉ↓［２］′（λ）表征所述Ａ′被猝滅劑猝滅以后的熒光譜線曲線Ｂ′； 則Ｉ↓［２］′（λ）＝１０↑［ｎ／２ΔＥ↓［１］（λ）］×Ｉ↓［２］（λ） （２） 式（２）中ΔＥ↓［１］（λ）＝ε↓［１］（λ）ｃ↓［１］Δｌ為猝滅劑與波長相關的元消光度函數； ε↓［１］（λ）為猝滅劑與波長相關的摩爾吸收系數函數； ｃ↓［１］為猝滅劑的摩爾濃度； Δｌ為樣品細分單元層的厚度； ｎ為樣品細分單元層的層數。
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| 專利號: |
200810099357 |
| 申請日: |
2008年4月30日 |
| 公開/公告日: |
2008年11月12日 |
| 授權公告日: |
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| 申請人/專利權人: |
合肥工業大學 |
| 國家/省市: |
安徽(34) |
| 郵編: |
230009 |
| 發明/設計人: |
陳向東、楊繼平、高峰、吳本科、袁自鈞、程萍、王銳 |
| 代理人: |
何梅生 |
| 專利代理機構: |
安徽省專利事務所(34101) |
| 專利代理機構地址: |
安徽省合肥市巢湖路145號(230001) |
| 專利類型: |
發明 |
| 公開號: |
101303309 |
| 公告日: |
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| 授權日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優先權: |
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| 審批歷史: |
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| 附圖數: |
4 |
| 頁數: |
7 |
| 權利要求項數: |
1 |
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