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| 本實用新型涉及一種深溝槽大功率Ｎ型ＭＯＳ器件。這種ＭＯＳ器件在俯視平面上，中心區設有并聯單胞組成的陣列，單胞陣列的外圍設有終端保護結構，終端保護結構由位于內圈的至少一個保護環和位于外圈的一個截止環組成，由于保護環和截止環均采用溝槽型導電多晶硅，在器件制造過程中，單胞柵電極引線采用直接在溝槽多晶硅上開孔引線，因此與現有普通平面式場板結構的深溝槽大功率ＭＯＳ器件制造方法相比，在不影響器件性能的前提下，減少了兩塊光刻版及相應工藝，大大降低制造成本。 |
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一種深溝槽大功率N型MOS器件
一種深溝槽大功率Ｎ型ＭＯＳ器件，在俯視平面上，中心區由并聯的單胞組成陣列，單胞陣列的外圍設有終端保護結構；所述陣列內單胞通過溝槽導電多晶硅而并聯成整體，終端保護結構由位于內圈的至少一個保護環和位于外圈的一個截止環組成，其特征在于： Ｐ阱層存在于整個終端保護區域； 在截面上保護環采用溝槽結構，溝槽位于輕摻雜Ｐ阱層，其深度伸入Ｐ阱層下方的輕摻雜Ｎ型外延層，溝槽壁表面生長有絕緣柵氧化層，溝槽內淀積有導電多晶硅，溝槽頂部的槽口由絕緣介質覆蓋，以此構成溝槽型導電多晶硅浮置場板結構的保護環； 在截面上截止環采用溝槽結構，該溝槽寬度大于單胞的溝槽寬度，溝槽位于輕摻雜Ｐ阱層，其深度伸入Ｐ阱層下方的輕摻雜Ｎ型外延層，溝槽壁表面生長有絕緣柵氧化層，溝槽內淀積有導電多晶硅，溝槽頂部設置金屬連線，溝槽外側為Ｐ阱層或者上方帶Ｎ＋注入區域的Ｐ阱層，該金屬連線將溝槽內的導電多晶硅與溝槽外側的Ｐ阱層連接成等電位，或者將溝槽內的導電多晶硅同時與溝槽外側的Ｎ＋注入區及Ｐ阱層連接成等電位，溝槽頂部的槽口由絕緣介質覆蓋，以此構成溝槽型導電多晶硅的截止環。
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| 專利號: |
200820030788 |
| 申請日: |
2008年1月8日 |
| 公開/公告日: |
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| 授權公告日: |
2008年11月5日 |
| 申請人/專利權人: |
蘇州硅能半導體科技股份有限公司 |
| 國家/省市: |
江蘇(32) |
| 郵編: |
215021 |
| 發明/設計人: |
朱袁正、秦旭光 |
| 代理人: |
馬明渡 |
| 專利代理機構: |
蘇州市專利事務所(32103) |
| 專利代理機構地址: |
江蘇省蘇州市人民路91號科技大樓五樓(215002) |
| 專利類型: |
發明 |
| 公開號: |
000000000 |
| 公告日: |
2008年11月5日 |
| 授權日: |
2008年11月5日 |
| 公告號: |
201146191 |
| 優先權: |
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| 審批歷史: |
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| 附圖數: |
3 |
| 頁數: |
6 |
| 權利要求項數: |
1 |
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